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TSM60NE084PW C0G

型號描述:
N-Channel 600 V 42A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247
MOSFET 600V, 42A, Single N-Channel High Voltage MOSFET
型號:
TSM60NE084PW C0G
品牌:
Taiwan Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
300
1+NT$338.908
10+NT$257.103
100+NT$214.03
600+NT$187.652
1200+NT$178.303
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$338.908 數量:

合計: NT$339

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 14A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 2.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2939 pF @ 300 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
357W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Package / Case
TO-247-3
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